MOSFET NVTR4503NTG N-kanálový 2,5 A 30 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
140 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
730 mW
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
1.4mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
3,6 nC při 10 V
Höhe
1.01mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 30 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,07
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 0,07
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
140 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
730 mW
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
1.4mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
3,6 nC při 10 V
Höhe
1.01mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 30 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products