Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
1.5 A
Kollektor-Emitter-
110 V
Maximální bázové napětí emitoru
10 V
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3 + Tab
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
200
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
1.8 V
Maximální bázové napětí kolektoru
140 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
1.5 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
10nA
Maximální ztrátový výkon
1 W
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.5mm
Höhe
1.6mm
Breite
3.5mm
Abmessungen
6.5 x 3.5 x 1.6mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory Darlington NPN, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
1.5 A
Kollektor-Emitter-
110 V
Maximální bázové napětí emitoru
10 V
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3 + Tab
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
200
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
1.8 V
Maximální bázové napětí kolektoru
140 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
1.5 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
10nA
Maximální ztrátový výkon
1 W
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.5mm
Höhe
1.6mm
Breite
3.5mm
Abmessungen
6.5 x 3.5 x 1.6mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory Darlington NPN, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.