Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
1 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
40 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
625 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
75 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Maximální provozní frekvence
300 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory NPN s malým signálem, 40 až 50 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
€ 432,60
€ 0,043 Each (In a Bag of 10000) (bez DPH)
10000
€ 432,60
€ 0,043 Each (In a Bag of 10000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
10000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
1 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
40 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
625 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
75 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Maximální provozní frekvence
300 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory NPN s malým signálem, 40 až 50 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.


