Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-800 mA
Kollektor-Emitter-
-60 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
625 mW
Minimální proudový zisk DC
100
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Abmessungen
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory PNP s malým signálem, 60 až 160 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,05
Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
2000
€ 0,05
Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
2000
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Páska |
---|---|---|
2000 - 2000 | € 0,05 | € 100,00 |
4000 - 8000 | € 0,05 | € 100,00 |
10000 - 18000 | € 0,05 | € 100,00 |
20000 - 28000 | € 0,05 | € 100,00 |
30000+ | € 0,04 | € 80,00 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-800 mA
Kollektor-Emitter-
-60 V
Gehäusegröße
TO-92
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
625 mW
Minimální proudový zisk DC
100
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Abmessungen
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory PNP s malým signálem, 60 až 160 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.