Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiDetekované spektrum
Infrared
Typický čas poklesu
15µs
Typický čas náběhu
15µs
Počet kanálů
1
Maximální proud za temna
100nA
Úhel poloviční citlivosti
80°
Počet kolíků
2
Typ montáže
Surface Mount
Rozměry
3.2 x 2.2 x 1.1mm
Kolektorový proud
0.5mA
Maximální detekovaná vlnová délka
860nm
Spektrální rozsah citlivosti
860 nm
Länge
3.2mm
Šířka
2.2mm
Höhe
1.1mm
Podrobnosti o výrobku
QTLP610CPD IR Phototranzistor
Infračervený fototranzistor QTLP610CPD Fairchild Semiconductor je umístěn v pravoúhlém krytu pro povrchovou montáž (SMD). Má čirý plastový kopulový kryt.
Vlastnosti QTLP610CPD:
Silikonový fototranzistor NPN
Souprava pro povrchovou montáž s pravým úhlem
Vodou čistý kopulový kryt
Vysoká citlivost na světlo
S nízkou kapacitancí
Krátký reakční čas
IR Phototransistors, Fairchild Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
2000
P.O.A.
2000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiDetekované spektrum
Infrared
Typický čas poklesu
15µs
Typický čas náběhu
15µs
Počet kanálů
1
Maximální proud za temna
100nA
Úhel poloviční citlivosti
80°
Počet kolíků
2
Typ montáže
Surface Mount
Rozměry
3.2 x 2.2 x 1.1mm
Kolektorový proud
0.5mA
Maximální detekovaná vlnová délka
860nm
Spektrální rozsah citlivosti
860 nm
Länge
3.2mm
Šířka
2.2mm
Höhe
1.1mm
Podrobnosti o výrobku
QTLP610CPD IR Phototranzistor
Infračervený fototranzistor QTLP610CPD Fairchild Semiconductor je umístěn v pravoúhlém krytu pro povrchovou montáž (SMD). Má čirý plastový kopulový kryt.
Vlastnosti QTLP610CPD:
Silikonový fototranzistor NPN
Souprava pro povrchovou montáž s pravým úhlem
Vodou čistý kopulový kryt
Vysoká citlivost na světlo
S nízkou kapacitancí
Krátký reakční čas