Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
50 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
MegaFET
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
22 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
131 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.83mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
125 nC při 20 V
Höhe
9.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
MegaFET MOSFET, Fairchild Semiconductor
Proces MegaFET, který používá velikosti funkcí, které se blíží rozměrům integrovaných obvodů LSI, poskytuje optimální využití křemíku, což má za následek vynikající výkon.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,601
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 1,601
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
50 - 50 | € 1,601 | € 80,04 |
100 - 450 | € 1,356 | € 67,79 |
500 - 950 | € 1,18 | € 58,99 |
1000+ | € 1,144 | € 57,22 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
50 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
MegaFET
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
22 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
131 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.83mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
125 nC při 20 V
Höhe
9.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
MegaFET MOSFET, Fairchild Semiconductor
Proces MegaFET, který používá velikosti funkcí, které se blíží rozměrům integrovaných obvodů LSI, poskytuje optimální využití křemíku, což má za následek vynikající výkon.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.