Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
100 mA
Kollektor-Emitter-
65 V
Gehäusegröße
SOT-363
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
380 mW
Maximální bázové napětí kolektoru
80 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Pinanzahl
6
Počet prvků na čip
2
Abmessungen
2.2 x 1.35 x 1mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Krajina pôvodu
China
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
100 mA
Kollektor-Emitter-
65 V
Gehäusegröße
SOT-363
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
380 mW
Maximální bázové napětí kolektoru
80 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Pinanzahl
6
Počet prvků na čip
2
Abmessungen
2.2 x 1.35 x 1mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Krajina pôvodu
China