Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
75 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
11 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.6V
Maximální ztrátový výkon
90 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
9.2mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
280 nC při 10 V
Höhe
4.5mm
Krajina pôvodu
Korea, Republic Of
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P, 30 V až 500 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
800
P.O.A.
800
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
75 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
11 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.6V
Maximální ztrátový výkon
90 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
9.2mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
280 nC při 10 V
Höhe
4.5mm
Krajina pôvodu
Korea, Republic Of
Podrobnosti o výrobku