Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
1.2 to 3mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
-30V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-883
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
4pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
4pF
Abmessungen
1.08 x 0.68 x 0.41mm
Länge
1.08mm
Höhe
0.41mm
Maximální ztrátový výkon
100 mW
Maximální pracovní teplota
150 °C
Breite
0.68mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,18
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
50
€ 0,18
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
50
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
50 - 200 | € 0,18 | € 9,00 |
250 - 950 | € 0,09 | € 4,50 |
1000 - 2450 | € 0,07 | € 3,50 |
2500+ | € 0,07 | € 3,50 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
1.2 to 3mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
-30V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-883
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
4pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
4pF
Abmessungen
1.08 x 0.68 x 0.41mm
Länge
1.08mm
Höhe
0.41mm
Maximální ztrátový výkon
100 mW
Maximální pracovní teplota
150 °C
Breite
0.68mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.