Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
1.2 to 3mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
-30V
Konfigurace
Single
Konfigurace tranzistoru
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-883
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
4pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
4pF
Abmessungen
1.08 x 0.68 x 0.41mm
Maximální ztrátový výkon
100 mW
Höhe
0.41mm
Breite
0.68mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
1.08mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,203
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
50
€ 0,203
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
50
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
50 - 450 | € 0,203 | € 10,15 |
500 - 950 | € 0,175 | € 8,75 |
1000 - 2450 | € 0,152 | € 7,59 |
2500 - 4950 | € 0,133 | € 6,67 |
5000+ | € 0,121 | € 6,07 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
1.2 to 3mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
-30V
Konfigurace
Single
Konfigurace tranzistoru
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-883
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
4pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
4pF
Abmessungen
1.08 x 0.68 x 0.41mm
Maximální ztrátový výkon
100 mW
Höhe
0.41mm
Breite
0.68mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
1.08mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.