JFET TF412SG N-kanálový 30 V, SOT-883, počet kolíků: 3 Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
1.2 to 3mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
-30V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-883
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
4pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
4pF
Abmessungen
1.08 x 0.68 x 0.41mm
Länge
1.08mm
Höhe
0.41mm
Maximální ztrátový výkon
100 mW
Betriebstemperatur max.
150 °C
Breite
0.68mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,18
Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
50
€ 0,18
Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
50
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 0,18 | € 9,00 |
| 250 - 950 | € 0,09 | € 4,50 |
| 1000 - 2450 | € 0,07 | € 3,50 |
| 2500+ | € 0,07 | € 3,50 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
1.2 to 3mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
-30V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-883
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
4pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
4pF
Abmessungen
1.08 x 0.68 x 0.41mm
Länge
1.08mm
Höhe
0.41mm
Maximální ztrátový výkon
100 mW
Betriebstemperatur max.
150 °C
Breite
0.68mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products