Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
0.05 to 0.13mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
-40V
Konfiguration
Single
Konfigurace tranzistoru
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-883
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
0.7pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
0.3pF
Abmessungen
1.07 x 0.67 x 0.41mm
Länge
1.07mm
Höhe
0.41mm
Breite
0.67mm
Maximální ztrátový výkon
100 mW
Betriebstemperatur max.
150 °C
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
0.05 to 0.13mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
-40V
Konfiguration
Single
Konfigurace tranzistoru
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-883
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
0.7pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
0.3pF
Abmessungen
1.07 x 0.67 x 0.41mm
Länge
1.07mm
Höhe
0.41mm
Breite
0.67mm
Maximální ztrátový výkon
100 mW
Betriebstemperatur max.
150 °C
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.