JFET TF414G N-kanálový 40 V, SOT-883, počet kolíků: 3 Jednoduchý

Name: JFET TF414G N-kanálový 40 V, SOT-883, počet kolíků: 3 Jednoduchý
Brand: onsemi
SKU: 9209928

Skladové číslo RS: 920-9928Značka: onsemiČíslo dielu výrobcu: TF414T5G

View all in JFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

Zbytkový proud drain-source Idss

0.05 to 0.13mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

40 V

Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda

-40V

Konfiguration

Single

Konfigurace tranzistoru

Single

Montage-Typ

Surface Mount

Gehäusegröße

SOT-883

Pinanzahl

Kapacitance kolektor/řídicí dioda

0.7pF

Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu

0.3pF

Abmessungen

1.07 x 0.67 x 0.41mm

Länge

1.07mm

Höhe

0.41mm

Breite

0.67mm

Maximální ztrátový výkon

100 mW

Maximální pracovní teplota

150 °C

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový JFET, on Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

JFET TF414G N-kanálový 40 V, SOT-883, počet kolíků: 3 Jednoduchý

Vyberte typ balenia

P.O.A.

JFET TF414G N-kanálový 40 V, SOT-883, počet kolíků: 3 Jednoduchý

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
View and contribute website content and forums
Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products

Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

Zbytkový proud drain-source Idss

0.05 to 0.13mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

40 V

Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda

-40V

Konfiguration

Single

Konfigurace tranzistoru

Single

Montage-Typ

Surface Mount

Gehäusegröße

SOT-883

Pinanzahl

Kapacitance kolektor/řídicí dioda

0.7pF

Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu

0.3pF

Abmessungen

1.07 x 0.67 x 0.41mm

Länge

1.07mm

Höhe

0.41mm

Breite

0.67mm

Maximální ztrátový výkon

100 mW

Maximální pracovní teplota

150 °C

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový JFET, on Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.