Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
8 A
Kollektor-Emitter-
60 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
1000
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
4 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
0.5mA
Höhe
4.82mm
Breite
10.28mm
Abmessungen
15.75 x 10.28 x 4.82mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
15.75mm
Maximální ztrátový výkon
65 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,58
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 0,58
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
50 - 50 | € 0,58 | € 29,00 |
100 - 450 | € 0,42 | € 21,00 |
500 - 950 | € 0,35 | € 17,50 |
1000+ | € 0,31 | € 15,50 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
8 A
Kollektor-Emitter-
60 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
1000
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
4 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
0.5mA
Höhe
4.82mm
Breite
10.28mm
Abmessungen
15.75 x 10.28 x 4.82mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
15.75mm
Maximální ztrátový výkon
65 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.