Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
8 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
60 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
1000
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
4 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
0.5mA
Höhe
4.82mm
Breite
10.28mm
Abmessungen
15.75 x 10.28 x 4.82mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
15.75mm
Maximální ztrátový výkon
65 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 4,94
€ 0,494 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 4,94
€ 0,494 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
8 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
60 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
1000
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
4 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
0.5mA
Höhe
4.82mm
Breite
10.28mm
Abmessungen
15.75 x 10.28 x 4.82mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
15.75mm
Maximální ztrátový výkon
65 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.