Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
PNP
Dauer-Kollektorstrom max.
8 A
Kollektor-Emitter-
60 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
1000
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
4 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
0.5mA
Höhe
4.82mm
Breite
10.28mm
Maximální ztrátový výkon
65 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Abmessungen
15.75 x 10.28 x 4.82mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
15.75mm
Podrobnosti o výrobku
PnP Darlington Transistory, on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
PNP
Dauer-Kollektorstrom max.
8 A
Kollektor-Emitter-
60 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
1000
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
4 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
0.5mA
Höhe
4.82mm
Breite
10.28mm
Maximální ztrátový výkon
65 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Abmessungen
15.75 x 10.28 x 4.82mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
15.75mm
Podrobnosti o výrobku
PnP Darlington Transistory, on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.