DÔLEŽITÉ OZNÁMENIE O ZMENE PRÁVNEHO SUBJEKTU

1. apríla meníme právnu subjektivitu na RS Components GmbH, nové číslo VAT , ako aj bankové údaje.

Kliknutím sem získate všetky potrebné informácie.

Relé bez blokování 4PDT Montáž na PCB 24V dc

Skladové číslo RS: 173-8855Značka: PanasonicČíslo dielu výrobcu: HC4HP24
brand-logo
View all in Výkonová relé

Technické dokumenty

Špecifikácie

Minimální provozní teplota

-50°C

Maximální spínací výkon AC

1.25 kVA

Maximální pracovní teplota

+70°C

Spínací proud

5A

Izolace mezi vinutím a kontaktem

2kV rms

Maximální spínací napětí AC

250V ac

Materiál kontaktu

Zlatem potažené

Napětí ve vinutí

24V dc

Montage-Typ

PCB Mount

Typ svorky

Through Hole

Konfigurace kontaktů

4PDT

Délka

20.8mm

Životnost

100000000 cyklů (mechanické, DC), 200000 cyklů (elektrické), 50000000 cyklů (mechanické, AC)

Hloubka

27.2mm

Výkon vinutí

900mW

Výška

35.2mm

Odpor cívky

650 <Ω/>

Krajina pôvodu

Japan

Podrobnosti o výrobku

IGBT Discretes, řada IXYS

Řada xpt™ samostatných IGBT od IXYS je vybavena technologií tenkých oplatků Extrémně lehké Punch-Through, která snižuje tepelnou odolnost a snižuje energetické ztráty. Tato zařízení nabízejí rychlé přepínání při nízkém proudovém zatížení a jsou k dispozici v různých průmyslových standardních a chráněných balících.

Vysoká hustota výkonu a nízká VCE(sat)
Bezpečnostní oblasti čtvercového zpětného chodu (RBSOA) až do jmenovitého havarijního napětí
Možnost zkratu pro 10USEC
Teplotní koeficient kladného napětí na stavu
Volitelné diody Sonic-FRD™ nebo HiPerFRED™ nabité spol
Mezinárodní standardní a proprietární vysokonapěťové balíky

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

Relé bez blokování 4PDT Montáž na PCB 24V dc

P.O.A.

Relé bez blokování 4PDT Montáž na PCB 24V dc
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Minimální provozní teplota

-50°C

Maximální spínací výkon AC

1.25 kVA

Maximální pracovní teplota

+70°C

Spínací proud

5A

Izolace mezi vinutím a kontaktem

2kV rms

Maximální spínací napětí AC

250V ac

Materiál kontaktu

Zlatem potažené

Napětí ve vinutí

24V dc

Montage-Typ

PCB Mount

Typ svorky

Through Hole

Konfigurace kontaktů

4PDT

Délka

20.8mm

Životnost

100000000 cyklů (mechanické, DC), 200000 cyklů (elektrické), 50000000 cyklů (mechanické, AC)

Hloubka

27.2mm

Výkon vinutí

900mW

Výška

35.2mm

Odpor cívky

650 <Ω/>

Krajina pôvodu

Japan

Podrobnosti o výrobku

IGBT Discretes, řada IXYS

Řada xpt™ samostatných IGBT od IXYS je vybavena technologií tenkých oplatků Extrémně lehké Punch-Through, která snižuje tepelnou odolnost a snižuje energetické ztráty. Tato zařízení nabízejí rychlé přepínání při nízkém proudovém zatížení a jsou k dispozici v různých průmyslových standardních a chráněných balících.

Vysoká hustota výkonu a nízká VCE(sat)
Bezpečnostní oblasti čtvercového zpětného chodu (RBSOA) až do jmenovitého havarijního napětí
Možnost zkratu pro 10USEC
Teplotní koeficient kladného napětí na stavu
Volitelné diody Sonic-FRD™ nebo HiPerFRED™ nabité spol
Mezinárodní standardní a proprietární vysokonapěťové balíky

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more