Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Renesas ElectronicsTyp produktu
MOSFET
Výstupní proud
2A
Počet kolíků
8
Doba poklesu
20ns
Gehäusegröße
SOIC
Počet výstupů
2
Typ budiče
MOSFET
Čas náběhu
20ns
Minimální napájecí napětí
4.5V
Maximální napájecí napětí
16V
Počet budičů
2
Minimální provozní teplota
-40°C
Betriebstemperatur max.
85°C
Výška
1.45mm
Délka
4.9mm
Normy/schválení
IPC/JEDEC J STD-020, Pb Free (RoHS)
Šířka
3.9 mm
Řada
EL72
Typ montáže
Surface
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
Budicí obvody MOSFET s nízkou kvalitou, Intersil
Napětí až 100 V.
Zpoždění šíření mezi vstupem a výstupem s vysokým výkonem
MOSFET & IGBT Drivers, Intersil
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
1000
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Renesas ElectronicsTyp produktu
MOSFET
Výstupní proud
2A
Počet kolíků
8
Doba poklesu
20ns
Gehäusegröße
SOIC
Počet výstupů
2
Typ budiče
MOSFET
Čas náběhu
20ns
Minimální napájecí napětí
4.5V
Maximální napájecí napětí
16V
Počet budičů
2
Minimální provozní teplota
-40°C
Betriebstemperatur max.
85°C
Výška
1.45mm
Délka
4.9mm
Normy/schválení
IPC/JEDEC J STD-020, Pb Free (RoHS)
Šířka
3.9 mm
Řada
EL72
Typ montáže
Surface
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
Budicí obvody MOSFET s nízkou kvalitou, Intersil
Napětí až 100 V.
Zpoždění šíření mezi vstupem a výstupem s vysokým výkonem


