Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Renesas ElectronicsTyp tranzistoru
NPN + PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
65 mA
Kollektor-Emitter-
8 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
150 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální bázové napětí kolektoru
12 V
Maximální bázové napětí emitoru
5.5 V
Maximální provozní frekvence
8000 MHz
Pinanzahl
16
Počet prvků na čip
5
Abmessungen
1.5 x 10 x 4mm
Betriebstemperatur max.
+125 °C
Krajina pôvodu
Philippines
Podrobnosti o výrobku
Tranzistorová pole, Intersil
Úplná izolace mezi tranzistory
Bipolar Transistors, Intersil
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
48
P.O.A.
48
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Renesas ElectronicsTyp tranzistoru
NPN + PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
65 mA
Kollektor-Emitter-
8 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
150 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální bázové napětí kolektoru
12 V
Maximální bázové napětí emitoru
5.5 V
Maximální provozní frekvence
8000 MHz
Pinanzahl
16
Počet prvků na čip
5
Abmessungen
1.5 x 10 x 4mm
Betriebstemperatur max.
+125 °C
Krajina pôvodu
Philippines
Podrobnosti o výrobku
Tranzistorová pole, Intersil
Úplná izolace mezi tranzistory