Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Renesas ElectronicsTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
30 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
8 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Konfigurace tranzistoru
Komplexní
Maximální bázové napětí kolektoru
12 V
Maximální bázové napětí emitoru
5.5 V
Maximální provozní frekvence
10000 MHz
Pinanzahl
8
Počet prvků na čip
6
Maximální pracovní teplota
+85 °C
Abmessungen
1.5 x 5 x 4mm
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
P.O.A.
Výrobné balenie (Tuba)
1
P.O.A.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Tuba)
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Renesas ElectronicsTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
30 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
8 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Konfigurace tranzistoru
Komplexní
Maximální bázové napětí kolektoru
12 V
Maximální bázové napětí emitoru
5.5 V
Maximální provozní frekvence
10000 MHz
Pinanzahl
8
Počet prvků na čip
6
Maximální pracovní teplota
+85 °C
Abmessungen
1.5 x 5 x 4mm


