Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Renesas ElectronicsTyp produktu
MOSFET
Výstupní proud
2A
Počet kolíků
8
Gehäusegröße
SOIC
Doba poklesu
500ns
Počet výstupů
2
Typ budiče
MOSFET
Čas náběhu
500ns
Minimální napájecí napětí
14V
Maximální napájecí napětí
14V
Počet budičů
2
Betriebstemperatur min.
-55°C
Maximální provozní teplota
150°C
Breite
4 mm
Řada
HIP2100
Výška
1.5mm
Délka
5mm
Normy/schválení
No
Typ montáže
Surface
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Half Bridge, Full Bridge and Three Phase Drivers, Intersil
MOSFET & IGBT Drivers, Intersil
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 301,60
€ 3,078 Each (In a Tube of 98) (bez DPH)
98
€ 301,60
€ 3,078 Each (In a Tube of 98) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
98
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Renesas ElectronicsTyp produktu
MOSFET
Výstupní proud
2A
Počet kolíků
8
Gehäusegröße
SOIC
Doba poklesu
500ns
Počet výstupů
2
Typ budiče
MOSFET
Čas náběhu
500ns
Minimální napájecí napětí
14V
Maximální napájecí napětí
14V
Počet budičů
2
Betriebstemperatur min.
-55°C
Maximální provozní teplota
150°C
Breite
4 mm
Řada
HIP2100
Výška
1.5mm
Délka
5mm
Normy/schválení
No
Typ montáže
Surface
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku


