Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Renesas ElectronicsDauer-Kollektorstrom max.
80 A
Kollektor-Emitter-
600 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±30V
Maximální ztrátový výkon
260,4 W
Gehäusegröße
TO-247A
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Rychlost spínání
1MHz
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
15.94 x 5.02 x 21.13mm
Kapacitance hradla
2780pF
Maximální pracovní teplota
150 °C
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, Renesas Electronics
IGBT Discretes & Modules
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
2
P.O.A.
2
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Renesas ElectronicsDauer-Kollektorstrom max.
80 A
Kollektor-Emitter-
600 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±30V
Maximální ztrátový výkon
260,4 W
Gehäusegröße
TO-247A
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Rychlost spínání
1MHz
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
15.94 x 5.02 x 21.13mm
Kapacitance hradla
2780pF
Maximální pracovní teplota
150 °C
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, Renesas Electronics
IGBT Discretes & Modules
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.