DÔLEŽITÉ OZNÁMENIE O ZMENE PRÁVNEHO SUBJEKTU

1. apríla meníme právnu subjektivitu na RS Components GmbH, nové číslo VAT , ako aj bankové údaje.

Kliknutím sem získate všetky potrebné informácie.

IGBT RJH65T47DPQ-A0#T0 N-kanálový 90 A 650 V, TO-247A, počet kolíků: 3 Jednoduchý

Skladové číslo RS: 124-0910Značka: Renesas ElectronicsČíslo dielu výrobcu: RJH65T47DPQ-A0#T0
brand-logo
View all in IGBTs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Dauer-Kollektorstrom max.

90 A

Kollektor-Emitter-

650 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±30V

Maximální ztrátový výkon

375 W

Gehäusegröße

TO-247A

Montage-Typ

Through Hole

Typ kanálu

N

Pinanzahl

3

Konfigurace tranzistoru

Single

Abmessungen

15.94 x 5.02 x 21.13mm

Kapacitance hradla

3000pF

Maximální pracovní teplota

175 °C

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

IGBT Discretes, Renesas Electronics

IGBT Discretes & Modules

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

IGBT RJH65T47DPQ-A0#T0 N-kanálový 90 A 650 V, TO-247A, počet kolíků: 3 Jednoduchý
Vyberte typ balenia

P.O.A.

IGBT RJH65T47DPQ-A0#T0 N-kanálový 90 A 650 V, TO-247A, počet kolíků: 3 Jednoduchý
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Dauer-Kollektorstrom max.

90 A

Kollektor-Emitter-

650 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±30V

Maximální ztrátový výkon

375 W

Gehäusegröße

TO-247A

Montage-Typ

Through Hole

Typ kanálu

N

Pinanzahl

3

Konfigurace tranzistoru

Single

Abmessungen

15.94 x 5.02 x 21.13mm

Kapacitance hradla

3000pF

Maximální pracovní teplota

175 °C

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

IGBT Discretes, Renesas Electronics

IGBT Discretes & Modules

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more