DÔLEŽITÉ OZNÁMENIE O ZMENE PRÁVNEHO SUBJEKTU

1. apríla meníme právnu subjektivitu na RS Components GmbH, nové číslo VAT , ako aj bankové údaje.

Kliknutím sem získate všetky potrebné informácie.

IGBT RJP4010AGE-01#P5 N-kanálový 150 A (impulzní) 400 V, TSOJ, počet kolíků: 8 Jednoduchý

Skladové číslo RS: 121-6899Značka: Renesas ElectronicsČíslo dielu výrobcu: RJP4010AGE-01#P5
brand-logo
View all in IGBTs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

150 A (impulzní)

Kollektor-Emitter-

400 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±6V

Maximální ztrátový výkon

1.6 W

Gehäusegröße

TSOJ

Montage-Typ

Surface Mount

Typ kanálu

N

Pinanzahl

8

Konfigurace tranzistoru

Single

Abmessungen

3.1 x 2.5 x 1mm

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Kapacitance hradla

5100pF

Maximální pracovní teplota

150 °C

Podrobnosti o výrobku

IGBT Discretes, Renesas Electronics

IGBT Discretes & Modules

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

IGBT RJP4010AGE-01#P5 N-kanálový 150 A (impulzní) 400 V, TSOJ, počet kolíků: 8 Jednoduchý

P.O.A.

IGBT RJP4010AGE-01#P5 N-kanálový 150 A (impulzní) 400 V, TSOJ, počet kolíků: 8 Jednoduchý
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

150 A (impulzní)

Kollektor-Emitter-

400 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±6V

Maximální ztrátový výkon

1.6 W

Gehäusegröße

TSOJ

Montage-Typ

Surface Mount

Typ kanálu

N

Pinanzahl

8

Konfigurace tranzistoru

Single

Abmessungen

3.1 x 2.5 x 1mm

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Kapacitance hradla

5100pF

Maximální pracovní teplota

150 °C

Podrobnosti o výrobku

IGBT Discretes, Renesas Electronics

IGBT Discretes & Modules

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more