Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Renesas ElectronicsMaximální stejnosměrný proud kolektoru
150 A (impulzní)
Kollektor-Emitter-
400 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±6V
Maximální ztrátový výkon
1.6 W
Gehäusegröße
TSOJ
Montage-Typ
Surface Mount
Typ kanálu
N
Pinanzahl
8
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
3.1 x 2.5 x 1mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Kapacitance hradla
5100pF
Maximální pracovní teplota
150 °C
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, Renesas Electronics
IGBT Discretes & Modules
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
4
P.O.A.
4
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Renesas ElectronicsMaximální stejnosměrný proud kolektoru
150 A (impulzní)
Kollektor-Emitter-
400 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±6V
Maximální ztrátový výkon
1.6 W
Gehäusegröße
TSOJ
Montage-Typ
Surface Mount
Typ kanálu
N
Pinanzahl
8
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
3.1 x 2.5 x 1mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Kapacitance hradla
5100pF
Maximální pracovní teplota
150 °C
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, Renesas Electronics
IGBT Discretes & Modules
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.