Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ROHMTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
500 mA
Kollektor-Emitter-
12 V
Gehäusegröße
SOT-723
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
150 mW
Konfigurace tranzistoru
Common Emitter
Maximální bázové napětí kolektoru
15 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Abmessungen
1.3 x 0.9 x 0.45mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
Vysokofrekvenční bipolární tranzistory ROHM
Širokopásmový vysokofrekvenční bipolární můstkový tranzistor od ROHM pro aplikace, jako jsou RF zesilovače a vysokofrekvenční oscilátory.
Bipolar Transistors, ROHM Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,04
Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
50
€ 0,04
Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
50
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ROHMTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
500 mA
Kollektor-Emitter-
12 V
Gehäusegröße
SOT-723
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
150 mW
Konfigurace tranzistoru
Common Emitter
Maximální bázové napětí kolektoru
15 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Abmessungen
1.3 x 0.9 x 0.45mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
Vysokofrekvenční bipolární tranzistory ROHM
Širokopásmový vysokofrekvenční bipolární můstkový tranzistor od ROHM pro aplikace, jako jsou RF zesilovače a vysokofrekvenční oscilátory.