N-Channel MOSFET, 200 mA, 30 V, 3-Pin SC-59 ROHM 2SK2731T146

Skladové číslo RS: 694-2818Značka: ROHMČíslo dielu výrobcu: 2SK2731T146
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

ROHM

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

200 mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

SC-59

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

2.8 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Maximální ztrátový výkon

200 mW

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Länge

2.9mm

Breite

1.6mm

Materiál tranzistoru

Si

Höhe

1.1mm

Krajina pôvodu

Japan

Podrobnosti o výrobku

Tranzistory MOSFET N-Channel, ROHM

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

P.O.A.

Each (In a Pack of 10) (bez DPH)

N-Channel MOSFET, 200 mA, 30 V, 3-Pin SC-59 ROHM 2SK2731T146

P.O.A.

Each (In a Pack of 10) (bez DPH)

N-Channel MOSFET, 200 mA, 30 V, 3-Pin SC-59 ROHM 2SK2731T146

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

ROHM

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

200 mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

SC-59

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

2.8 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Maximální ztrátový výkon

200 mW

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Länge

2.9mm

Breite

1.6mm

Materiál tranzistoru

Si

Höhe

1.1mm

Krajina pôvodu

Japan

Podrobnosti o výrobku

Tranzistory MOSFET N-Channel, ROHM

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more