Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ROHMTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
200 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SC-59
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2.8 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
200 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Länge
2.9mm
Breite
1.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
1.1mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET N-Channel, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
P.O.A.
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
10
P.O.A.
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ROHMTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
200 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SC-59
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2.8 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
200 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Länge
2.9mm
Breite
1.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
1.1mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku


