řada: RE1C001ZPMOSFET RE1C001ZPTL P-kanálový 100 mA 20 V, SC-75, počet kolíků: 3
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ROHMTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Řada
RE1C001ZP
Gehäusegröße
SC-75
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
40 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.3V
Maximální ztrátový výkon
150 mW
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +10 V
Počet prvků na čip
1
Breite
0.9mm
Länge
1.7mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
0.7mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET s kanálem P, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 5,63
€ 0,045 Each (In a Pack of 125) (bez DPH)
125
€ 5,63
€ 0,045 Each (In a Pack of 125) (bez DPH)
125
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ROHMTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Řada
RE1C001ZP
Gehäusegröße
SC-75
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
40 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.3V
Maximální ztrátový výkon
150 mW
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +10 V
Počet prvků na čip
1
Breite
0.9mm
Länge
1.7mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
0.7mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET s kanálem P, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products