řada: RTR030P02MOSFET RQ5C030TPTL P-kanálový 3 A 20 V, TSMT, počet kolíků: 3 Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ROHMTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Řada
RTR030P02
Gehäusegröße
TSMT
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
125 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.7V
Maximální ztrátový výkon
1 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Počet prvků na čip
1
Breite
1.6mm
Länge
2.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
9,3 nC při 4,5 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
0.85mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET s kanálem P, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
P.O.A.
Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
20
P.O.A.
Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
20
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ROHMTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Řada
RTR030P02
Gehäusegröße
TSMT
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
125 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.7V
Maximální ztrátový výkon
1 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Počet prvků na čip
1
Breite
1.6mm
Länge
2.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
9,3 nC při 4,5 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
0.85mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET s kanálem P, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products