Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ROHMTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
RRR040P03
Gehäusegröße
TSMT-3
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
72 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
1 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
1.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
2.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10,5 nC při 5 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
0.85mm
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET s kanálem P, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
€ 28,25
€ 0,282 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
100
€ 28,25
€ 0,282 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
100
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
100 - 180 | € 0,282 | € 5,65 |
200 - 480 | € 0,275 | € 5,50 |
500 - 980 | € 0,268 | € 5,35 |
1000+ | € 0,262 | € 5,23 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ROHMTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Řada
RRR040P03
Gehäusegröße
TSMT-3
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
72 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
1 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
1.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
2.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10,5 nC při 5 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
0.85mm
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku