řada: RSJ250P10MOSFET RSJ250P10TL P-kanálový 25 A 100 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ROHMTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
25 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Řada
RSJ250P10
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
70 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
50 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
9mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
60 nC při 5 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
4.5mm
Propustné napětí diody
1.2V
Krajina pôvodu
Korea, Republic Of
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET s kanálem P, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 38,00
€ 1,52 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
25
€ 38,00
€ 1,52 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
25
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 25 - 45 | € 1,52 | € 7,60 |
| 50 - 120 | € 1,446 | € 7,23 |
| 125 - 245 | € 1,368 | € 6,84 |
| 250+ | € 1,216 | € 6,08 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ROHMTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
25 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Řada
RSJ250P10
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
70 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
50 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
9mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
60 nC při 5 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
4.5mm
Propustné napětí diody
1.2V
Krajina pôvodu
Korea, Republic Of
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET s kanálem P, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products