Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ROHMTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
25 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Řada
RSJ250P10
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
70 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
50 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
9mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
60 nC při 5 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
4.5mm
Propustné napětí diody
1.2V
Krajina pôvodu
Korea, Republic Of
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET s kanálem P, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
€ 40,50
€ 1,62 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
25
€ 40,50
€ 1,62 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
25
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
25 - 45 | € 1,62 | € 8,10 |
50 - 120 | € 1,54 | € 7,70 |
125 - 245 | € 1,46 | € 7,30 |
250+ | € 1,296 | € 6,48 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ROHMTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
25 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Řada
RSJ250P10
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
70 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
50 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
9mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
60 nC při 5 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
4.5mm
Propustné napětí diody
1.2V
Krajina pôvodu
Korea, Republic Of
Podrobnosti o výrobku