Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ROHMTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-323
Řada
RU1C001UN
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
18 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.3V
Maximální ztrátový výkon
150 mW
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Počet prvků na čip
1
Breite
1.35mm
Länge
2.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
1mm
Krajina pôvodu
Thailand
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET N-Channel, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
P.O.A.
Each (In a Pack of 150) (bez DPH)
150
P.O.A.
Each (In a Pack of 150) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
150
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ROHMTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-323
Řada
RU1C001UN
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
18 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.3V
Maximální ztrátový výkon
150 mW
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Počet prvků na čip
1
Breite
1.35mm
Länge
2.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
1mm
Krajina pôvodu
Thailand
Podrobnosti o výrobku