řada: RU1C002ZPMOSFET RU1C002ZPTCL P-kanálový 200 mA 20 V, SOT-323, počet kolíků: 3
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ROHMTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
200 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Řada
RU1C002ZP
Gehäusegröße
SOT-323
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
9.6 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.3V
Maximální ztrátový výkon
150 mW
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +10 V
Breite
1.35mm
Počet prvků na čip
1
Länge
2.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,4 nC při 4,5 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET s kanálem P, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 6,99
€ 0,07 Each (In a Pack of 100) (bez DPH)
Štandardný
100
€ 6,99
€ 0,07 Each (In a Pack of 100) (bez DPH)
Štandardný
100
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 100 - 400 | € 0,07 | € 6,99 |
| 500 - 900 | € 0,066 | € 6,64 |
| 1000 - 2400 | € 0,056 | € 5,59 |
| 2500 - 4900 | € 0,053 | € 5,30 |
| 5000+ | € 0,05 | € 5,00 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ROHMTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
200 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Řada
RU1C002ZP
Gehäusegröße
SOT-323
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
9.6 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.3V
Maximální ztrátový výkon
150 mW
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +10 V
Breite
1.35mm
Počet prvků na čip
1
Länge
2.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,4 nC při 4,5 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET s kanálem P, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products