Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ROHMTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Řada
RZM001P02
Gehäusegröße
SOT-723
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
40 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.3V
Maximální ztrátový výkon
150 mW
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +10 V
Breite
0.9mm
Počet prvků na čip
1
Länge
1.3mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
0.45mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET s kanálem P, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
€ 4,93
€ 0,039 Each (In a Pack of 125) (bez DPH)
125
€ 4,93
€ 0,039 Each (In a Pack of 125) (bez DPH)
125
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ROHMTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Řada
RZM001P02
Gehäusegröße
SOT-723
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
40 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.3V
Maximální ztrátový výkon
150 mW
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +10 V
Breite
0.9mm
Počet prvků na čip
1
Länge
1.3mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
0.45mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku