Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ROHMTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
200 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-723
Řada
RZM002P02
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
9.6 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.3V
Maximální ztrátový výkon
150 mW
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +10 V
Länge
1.3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,4 nC při 4,5 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Počet prvků na čip
1
Breite
0.9mm
Höhe
0.45mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET s kanálem P, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
€ 7,73
€ 0,103 Each (In a Pack of 75) (bez DPH)
75
€ 7,73
€ 0,103 Each (In a Pack of 75) (bez DPH)
75
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ROHMTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
200 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-723
Řada
RZM002P02
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
9.6 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.3V
Maximální ztrátový výkon
150 mW
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +10 V
Länge
1.3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,4 nC při 4,5 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Počet prvků na čip
1
Breite
0.9mm
Höhe
0.45mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku