řada: SCT2H12NZMOSFET SCT2H12NZGC11 N-kanálový 3,7 A 1700 V, TO-3PFM, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ROHMTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
1700 V
Řada
SCT2H12NZ
Gehäusegröße
TO-3PFM
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.6V
Maximální ztrátový výkon
35 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-6 V, +22 V
Materiál tranzistoru
Si
Länge
16mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
14 nC při 18 V
Breite
5mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Höhe
21mm
Propustné napětí diody
4.3V
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET N-Channel, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 7,75
Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
2
€ 7,75
Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
2
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 7,75 | € 15,50 |
| 10 - 18 | € 6,45 | € 12,90 |
| 20 - 98 | € 6,42 | € 12,84 |
| 100 - 198 | € 6,34 | € 12,68 |
| 200+ | € 6,23 | € 12,46 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ROHMTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
1700 V
Řada
SCT2H12NZ
Gehäusegröße
TO-3PFM
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.6V
Maximální ztrátový výkon
35 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-6 V, +22 V
Materiál tranzistoru
Si
Länge
16mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
14 nC při 18 V
Breite
5mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Höhe
21mm
Propustné napětí diody
4.3V
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET N-Channel, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products