Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
SemelabTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
25 to 75mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+40 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
40V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Maximální odpor kolektor/zdroj
60 Ω
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Abmessungen
3.05 x 2.54 x 1.02mm
Höhe
1.02mm
Breite
2.54mm
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
3.05mm
Krajina pôvodu
United Kingdom
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, Semikron
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
100
P.O.A.
100
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
SemelabTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
25 to 75mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+40 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
40V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Maximální odpor kolektor/zdroj
60 Ω
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Abmessungen
3.05 x 2.54 x 1.02mm
Höhe
1.02mm
Breite
2.54mm
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
3.05mm
Krajina pôvodu
United Kingdom
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, Semikron
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.