Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
SemelabTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
65 V
Řada
TetraFET
Gehäusegröße
DP
Montage-Typ
Upevnění šroubem
Pinanzahl
3
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
7V
Maximální ztrátový výkon
29 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
6.35mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+200 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
18.92mm
Höhe
5.08mm
Krajina pôvodu
United Kingdom
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET RF, Semelab
MOSFET Transistors, Semelab
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
SemelabTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
65 V
Řada
TetraFET
Gehäusegröße
DP
Montage-Typ
Upevnění šroubem
Pinanzahl
3
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
7V
Maximální ztrátový výkon
29 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
6.35mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+200 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
18.92mm
Höhe
5.08mm
Krajina pôvodu
United Kingdom
Podrobnosti o výrobku