řada: TetraFETMOSFET D2002UK N-kanálový 2 A 65 V, DP, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 177-5485Značka: SemelabČíslo dielu výrobcu: D2002UK
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Semelab

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

2 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

65 V

Řada

TetraFET

Gehäusegröße

DP

Montage-Typ

Upevnění šroubem

Pinanzahl

3

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

7V

Maximální ztrátový výkon

29 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

6.35mm

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

+200 °C

Materiál tranzistoru

Si

Länge

18.92mm

Höhe

5.08mm

Krajina pôvodu

United Kingdom

Podrobnosti o výrobku

Tranzistory MOSFET RF, Semelab

MOSFET Transistors, Semelab

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

řada: TetraFETMOSFET D2002UK N-kanálový 2 A 65 V, DP, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

P.O.A.

řada: TetraFETMOSFET D2002UK N-kanálový 2 A 65 V, DP, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Semelab

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

2 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

65 V

Řada

TetraFET

Gehäusegröße

DP

Montage-Typ

Upevnění šroubem

Pinanzahl

3

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

7V

Maximální ztrátový výkon

29 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

6.35mm

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

+200 °C

Materiál tranzistoru

Si

Länge

18.92mm

Höhe

5.08mm

Krajina pôvodu

United Kingdom

Podrobnosti o výrobku

Tranzistory MOSFET RF, Semelab

MOSFET Transistors, Semelab

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more