Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
SemelabTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
65 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Maximální ztrátový výkon
17,5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.08mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
+200 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
4.06mm
Höhe
2.18mm
Řada
TetraFET
Krajina pôvodu
United Kingdom
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET RF, Semelab
MOSFET Transistors, Semelab
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
SemelabTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
65 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Maximální ztrátový výkon
17,5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.08mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
+200 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
4.06mm
Höhe
2.18mm
Řada
TetraFET
Krajina pôvodu
United Kingdom
Podrobnosti o výrobku