Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
SemelabTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
65 V
Řada
TetraFET
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Maximální ztrátový výkon
30 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
+200 °C
Länge
4.06mm
Breite
5.08mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
2.18mm
Krajina pôvodu
United Kingdom
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET RF, Semelab
MOSFET Transistors, Semelab
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 48,79
Each (bez DPH)
1
€ 48,79
Each (bez DPH)
1
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena |
---|---|
1 - 1 | € 48,79 |
2 - 9 | € 47,82 |
10 - 14 | € 46,35 |
15 - 24 | € 45,87 |
25+ | € 45,38 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
SemelabTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
65 V
Řada
TetraFET
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Maximální ztrátový výkon
30 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
+200 °C
Länge
4.06mm
Breite
5.08mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
2.18mm
Krajina pôvodu
United Kingdom
Podrobnosti o výrobku