Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
SemelabTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
125 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
7V
Maximální ztrátový výkon
30 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
+200 °C
Länge
4.06mm
Breite
5.08mm
Materiál tranzistoru
Si
Řada
TetraFET
Höhe
2.18mm
Krajina pôvodu
United Kingdom
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
SemelabTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
125 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
7V
Maximální ztrátový výkon
30 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
+200 °C
Länge
4.06mm
Breite
5.08mm
Materiál tranzistoru
Si
Řada
TetraFET
Höhe
2.18mm
Krajina pôvodu
United Kingdom