Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
SemelabTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
170 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
TO-18
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
9 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
313 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-3 V, +15 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
5.84mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
5.33mm
Krajina pôvodu
United Kingdom
Podrobnosti o výrobku
Tranzistory MOSFET s technologií N-Channel, Semelab
MOSFET Transistors, Semelab
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 11,81
Each (bez DPH)
1
€ 11,81
Each (bez DPH)
1
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena |
---|---|
1 - 4 | € 11,81 |
5 - 9 | € 11,40 |
10 - 24 | € 10,17 |
25 - 49 | € 9,36 |
50+ | € 8,97 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
SemelabTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
170 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
TO-18
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
9 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
313 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-3 V, +15 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
5.84mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
5.33mm
Krajina pôvodu
United Kingdom
Podrobnosti o výrobku