Semikron Danfoss Rychlý modul IGBT4 SKM150GAL12T4 Typ N-kanálový 232 A 1200 V, SEMITRANS2, počet kolíků: 5 kolíkový
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Semikron DanfossMaximální trvalý kolektorový proud Ic
232A
Typ produktu
Rychlý modul IGBT4
Maximální napětí kolektoru Vceo
1200V
Gehäusegröße
SEMITRANS2
Typ montáže
Surface
Typ kanálu
Type N
Počet kolíků
5
Spínací napětí
180ns
Maximální napětí brány VGEO
20 V
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
2.4V
Minimální provozní teplota
-40°C
Betriebstemperatur max.
175°C
Länge
94mm
Výška
30.1mm
Normy/schválení
IEC 60747-1
Řada
GAL
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
Jednotlivé moduly IGBT
Semikron nabízí moduly IGBT (Insuleded Gate Bipolar Transistor) v baleních SEMITRANS, SEmiX a SEMITOP v různých topologiích, proudovém a napěťovém hodnocení.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 111,31
€ 111,31 Each (bez DPH)
1
€ 111,31
€ 111,31 Each (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1
| Množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 1 - 9 | € 111,31 |
| 10 - 19 | € 82,70 |
| 20+ | € 78,59 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Semikron DanfossMaximální trvalý kolektorový proud Ic
232A
Typ produktu
Rychlý modul IGBT4
Maximální napětí kolektoru Vceo
1200V
Gehäusegröße
SEMITRANS2
Typ montáže
Surface
Typ kanálu
Type N
Počet kolíků
5
Spínací napětí
180ns
Maximální napětí brány VGEO
20 V
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
2.4V
Minimální provozní teplota
-40°C
Betriebstemperatur max.
175°C
Länge
94mm
Výška
30.1mm
Normy/schválení
IEC 60747-1
Řada
GAL
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
Jednotlivé moduly IGBT
Semikron nabízí moduly IGBT (Insuleded Gate Bipolar Transistor) v baleních SEMITRANS, SEmiX a SEMITOP v různých topologiích, proudovém a napěťovém hodnocení.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products