Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
SemikronMaximální stejnosměrný proud kolektoru
45 A
Kollektor-Emitter-
600 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
20V
Počet tranzistorů
6
Gehäusegröße
SEMITOP3
Konfiguration
Šestinásobný
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
36
Konfigurace tranzistoru
Balení po šesti
Abmessungen
55 x 31 x 12mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Maximální pracovní teplota
150 °C
Krajina pôvodu
Italy
Podrobnosti o výrobku
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
SemikronMaximální stejnosměrný proud kolektoru
45 A
Kollektor-Emitter-
600 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
20V
Počet tranzistorů
6
Gehäusegröße
SEMITOP3
Konfiguration
Šestinásobný
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
36
Konfigurace tranzistoru
Balení po šesti
Abmessungen
55 x 31 x 12mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Maximální pracovní teplota
150 °C
Krajina pôvodu
Italy
Podrobnosti o výrobku
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.