DÔLEŽITÉ OZNÁMENIE O ZMENE PRÁVNEHO SUBJEKTU

1. apríla meníme právnu subjektivitu na RS Components GmbH, nové číslo VAT , ako aj bankové údaje.

Kliknutím sem získate všetky potrebné informácie.

IGBT modul SKM100GB063D N-kanálový 130 A 600 V, SEMITRANS2, počet kolíků: 7 2 Poloviční můstek

Skladové číslo RS: 125-1116Značka: SemikronČíslo dielu výrobcu: SKM100GB063D
brand-logo
View all in IGBTs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Dauer-Kollektorstrom max.

130 A

Kollektor-Emitter-

600 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

20V

Počet tranzistorů

2

Gehäusegröße

SEMITRANS2

Konfiguration

Dual

Montage-Typ

Screw Mount

Typ kanálu

N

Pinanzahl

7

Konfigurace tranzistoru

Poloviční můstek

Abmessungen

94 x 34 x 30.5mm

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Maximální pracovní teplota

150 °C

Krajina pôvodu

Slovakia

Podrobnosti o výrobku

Duální moduly IGBT

Řada modulů SEMITOP® IGBT od společnosti Semikron, které obsahují dvě zařízení IGBT (poloviční můstek). Moduly jsou k dispozici v širokém rozsahu napětí a proudových hodnocení a jsou vhodné pro různé aplikace přepínání napájení, jako jsou pohony motorů invertoru střídavého proudu a zdroje nepřerušitelného napájení.

Kompaktní balíček SEMITOP®
Vhodné pro přepínání frekvencí až do 12 kHz
Izolovaná měděná základová deska pomocí přímé měděné technologie

IGBT Modules, Semikron

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

IGBT modul SKM100GB063D N-kanálový 130 A 600 V, SEMITRANS2, počet kolíků: 7 2 Poloviční můstek

P.O.A.

IGBT modul SKM100GB063D N-kanálový 130 A 600 V, SEMITRANS2, počet kolíků: 7 2 Poloviční můstek
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Dauer-Kollektorstrom max.

130 A

Kollektor-Emitter-

600 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

20V

Počet tranzistorů

2

Gehäusegröße

SEMITRANS2

Konfiguration

Dual

Montage-Typ

Screw Mount

Typ kanálu

N

Pinanzahl

7

Konfigurace tranzistoru

Poloviční můstek

Abmessungen

94 x 34 x 30.5mm

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Maximální pracovní teplota

150 °C

Krajina pôvodu

Slovakia

Podrobnosti o výrobku

Duální moduly IGBT

Řada modulů SEMITOP® IGBT od společnosti Semikron, které obsahují dvě zařízení IGBT (poloviční můstek). Moduly jsou k dispozici v širokém rozsahu napětí a proudových hodnocení a jsou vhodné pro různé aplikace přepínání napájení, jako jsou pohony motorů invertoru střídavého proudu a zdroje nepřerušitelného napájení.

Kompaktní balíček SEMITOP®
Vhodné pro přepínání frekvencí až do 12 kHz
Izolovaná měděná základová deska pomocí přímé měděné technologie

IGBT Modules, Semikron

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more