Veselé Vianoce!

Vážení zákazníci, aj medzi vianočnými sviatkami a Novým rokom vám budeme k dispozícii. Pozrite sa prosím na podrobnosti, aby ste zaistili nákup u RS včas.

Viac informácií

IGBT modul SKM100GB12T4 N-kanálový 160 A 1200 V, SEMITRANS2, počet kolíků: 7 Sériové zapojení

Skladové číslo RS: 687-4958Značka: SemikronČíslo dielu výrobcu: SKM100GB12T4Distrelec Article No.: 17101152
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii IGBTs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Dauer-Kollektorstrom max.

160 A

Kollektor-Emitter-

1200 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Gehäusegröße

SEMITRANS2

Konfiguration

Dual Half Bridge

Montage-Typ

Panel Mount

Typ kanálu

N

Pinanzahl

7

Konfigurace tranzistoru

Sériové zapojení

Abmessungen

94 x 34 x 30.1mm

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Maximální pracovní teplota

175 °C

Breite

34mm

Podrobnosti o výrobku

Duální moduly IGBT

Řada modulů SEMITOP® IGBT od společnosti Semikron, které obsahují dvě zařízení IGBT (poloviční můstek). Moduly jsou k dispozici v širokém rozsahu napětí a proudových hodnocení a jsou vhodné pro různé aplikace přepínání napájení, jako jsou pohony motorů invertoru střídavého proudu a zdroje nepřerušitelného napájení.

Kompaktní balíček SEMITOP®
Vhodné pro přepínání frekvencí až do 12 kHz
Izolovaná měděná základová deska pomocí přímé měděné technologie

IGBT Modules, Semikron

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 95,83

Each (bez DPH)

IGBT modul SKM100GB12T4 N-kanálový 160 A 1200 V, SEMITRANS2, počet kolíků: 7 Sériové zapojení

€ 95,83

Each (bez DPH)

IGBT modul SKM100GB12T4 N-kanálový 160 A 1200 V, SEMITRANS2, počet kolíků: 7 Sériové zapojení
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Kúpiť hromadne

množstvoJednotková cena
1 - 1€ 95,83
2 - 4€ 91,05
5 - 9€ 86,92
10 - 19€ 76,66
20+€ 72,82

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Dauer-Kollektorstrom max.

160 A

Kollektor-Emitter-

1200 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Gehäusegröße

SEMITRANS2

Konfiguration

Dual Half Bridge

Montage-Typ

Panel Mount

Typ kanálu

N

Pinanzahl

7

Konfigurace tranzistoru

Sériové zapojení

Abmessungen

94 x 34 x 30.1mm

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Maximální pracovní teplota

175 °C

Breite

34mm

Podrobnosti o výrobku

Duální moduly IGBT

Řada modulů SEMITOP® IGBT od společnosti Semikron, které obsahují dvě zařízení IGBT (poloviční můstek). Moduly jsou k dispozici v širokém rozsahu napětí a proudových hodnocení a jsou vhodné pro různé aplikace přepínání napájení, jako jsou pohony motorů invertoru střídavého proudu a zdroje nepřerušitelného napájení.

Kompaktní balíček SEMITOP®
Vhodné pro přepínání frekvencí až do 12 kHz
Izolovaná měděná základová deska pomocí přímé měděné technologie

IGBT Modules, Semikron

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more