IGBT modul SKM200GB126D N-kanálový 260 A 1200 V, SEMITRANS3, počet kolíků: 7 Sériové zapojení
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
SemikronDauer-Kollektorstrom max.
260 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Gehäusegröße
SEMITRANS3
Konfigurace
Dual Half Bridge
Montage-Typ
Panel Mount
Typ kanálu
N
Pinanzahl
7
Konfigurace tranzistoru
Series
Abmessungen
106.4 x 61.4 x 30mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Podrobnosti o výrobku
Duální moduly IGBT
Řada modulů SEMITOP® IGBT od společnosti Semikron, které obsahují dvě zařízení IGBT (poloviční můstek). Moduly jsou k dispozici v širokém rozsahu napětí a proudových hodnocení a jsou vhodné pro různé aplikace přepínání napájení, jako jsou pohony motorů invertoru střídavého proudu a zdroje nepřerušitelného napájení.
Kompaktní balíček SEMITOP®
Vhodné pro přepínání frekvencí až do 12 kHz
Izolovaná měděná základová deska pomocí přímé měděné technologie
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 219,92
Each (bez DPH)
1
€ 219,92
Each (bez DPH)
1
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 1 - 1 | € 219,92 |
| 2 - 4 | € 193,53 |
| 5 - 9 | € 175,94 |
| 10 - 19 | € 165,17 |
| 20+ | € 154,16 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
SemikronDauer-Kollektorstrom max.
260 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Gehäusegröße
SEMITRANS3
Konfigurace
Dual Half Bridge
Montage-Typ
Panel Mount
Typ kanálu
N
Pinanzahl
7
Konfigurace tranzistoru
Series
Abmessungen
106.4 x 61.4 x 30mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Podrobnosti o výrobku
Duální moduly IGBT
Řada modulů SEMITOP® IGBT od společnosti Semikron, které obsahují dvě zařízení IGBT (poloviční můstek). Moduly jsou k dispozici v širokém rozsahu napětí a proudových hodnocení a jsou vhodné pro různé aplikace přepínání napájení, jako jsou pohony motorů invertoru střídavého proudu a zdroje nepřerušitelného napájení.
Kompaktní balíček SEMITOP®
Vhodné pro přepínání frekvencí až do 12 kHz
Izolovaná měděná základová deska pomocí přímé měděné technologie
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products