Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp tranzistoru
PNP
Dauer-Kollektorstrom max.
4 A
Kollektor-Emitter-
60 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
SOT-32
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
750
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
2.8 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
0.2mA
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
7.8mm
Höhe
10.8mm
Breite
2.7mm
Abmessungen
7.8 x 2.7 x 10.8mm
Podrobnosti o výrobku
PnP Darlington Transistory, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp tranzistoru
PNP
Dauer-Kollektorstrom max.
4 A
Kollektor-Emitter-
60 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
SOT-32
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
750
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
2.8 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
0.2mA
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
7.8mm
Höhe
10.8mm
Breite
2.7mm
Abmessungen
7.8 x 2.7 x 10.8mm
Podrobnosti o výrobku
PnP Darlington Transistory, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.