Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Transistor
Maximální stejnosměrný kolektorový proud Idc
4A
Maximální napětí kolektoru Vceo
800V
Gehäusegröße
TO-220
Typ montáže
Through Hole
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí báze kolektoru VCBO
1600V
Maximální základní napětí emitoru VEBO
9V
Minimální zisk stejnosměrného proudu hFE
10
Polarita tranzistoru
NPN
Maximální ztrátový výkon Pd
9W
Počet kolíků
3
Betriebstemperatur max.
150°C
Länge
10.4mm
Výška
29.75mm
Normy/schválení
No
Šířka
4.6 mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
Vysokonapěťové tranzistory, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 66,00
€ 1,32 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 66,00
€ 1,32 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
50
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,32 | € 66,00 |
| 100 - 200 | € 1,034 | € 51,68 |
| 250 - 450 | € 1,006 | € 50,29 |
| 500 - 950 | € 0,879 | € 43,96 |
| 1000+ | € 0,746 | € 37,30 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Transistor
Maximální stejnosměrný kolektorový proud Idc
4A
Maximální napětí kolektoru Vceo
800V
Gehäusegröße
TO-220
Typ montáže
Through Hole
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí báze kolektoru VCBO
1600V
Maximální základní napětí emitoru VEBO
9V
Minimální zisk stejnosměrného proudu hFE
10
Polarita tranzistoru
NPN
Maximální ztrátový výkon Pd
9W
Počet kolíků
3
Betriebstemperatur max.
150°C
Länge
10.4mm
Výška
29.75mm
Normy/schválení
No
Šířka
4.6 mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
Vysokonapěťové tranzistory, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.


