Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
5 A
Kollektor-Emitter-
800 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
70 W
Minimální proudový zisk DC
8
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí emitoru
9 V
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Abmessungen
10.4 x 4.6 x 15.75mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Vysokonapěťové tranzistory, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
75
P.O.A.
75
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
5 A
Kollektor-Emitter-
800 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
70 W
Minimální proudový zisk DC
8
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí emitoru
9 V
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Abmessungen
10.4 x 4.6 x 15.75mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Vysokonapěťové tranzistory, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.