Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp směru
Uni-Directional
Diodová konfigurace
Array
Maximální svorkové napětí
13.2V
Minimální poruchové napětí
6.9V
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
QFN EP, VQFN EP
Maximální závěrné přechodné napětí
6.3V
Pinanzahl
2
Špičkový pulzní ztrátový výkon
1100W
Maximální špičkový pulzní proud
80A
Ochrana ESD
Yes
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Abmessungen
1.7 x 1.1 x 0.55mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Höhe
0.55mm
Breite
1.1mm
Testovací proud
1mA
Maximální závěrný svodový proud
200nA
Länge
1.7mm
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,11
Each (On a Reel of 8000) (bez DPH)
8000
€ 0,11
Each (On a Reel of 8000) (bez DPH)
8000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp směru
Uni-Directional
Diodová konfigurace
Array
Maximální svorkové napětí
13.2V
Minimální poruchové napětí
6.9V
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
QFN EP, VQFN EP
Maximální závěrné přechodné napětí
6.3V
Pinanzahl
2
Špičkový pulzní ztrátový výkon
1100W
Maximální špičkový pulzní proud
80A
Ochrana ESD
Yes
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Abmessungen
1.7 x 1.1 x 0.55mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Höhe
0.55mm
Breite
1.1mm
Testovací proud
1mA
Maximální závěrný svodový proud
200nA
Länge
1.7mm